تستعد شركة سامسونج خلال الأشهر المقبلة وتحديدصأ أوائل عام 2021 للإعلان عن أحدث هواتفها الرائدة في سلسلة سامسونج جالكسي اس 21 – Galaxy S21 .
وفي وقت سابق اليوم أعلنت سامسونج عن بدء انتاج ذاكرة وصول عشوائي رام بسعة 16 جيجابايت من نوع LPDDR5 بمعمارية 10 نانومتر.
الرام الجديدة وفقًا لنائب الرئيس التنفيذي لمنتجات DRAM ستفتح أبوابًا جديدة لمطوري ومصنعي الهواتف الذكية في الفترة المقبلة.
ووفقًا لشركة سامسونج فإن الرام الجديدة ستكون الأسرع على الإطلاق في عالم ذواكر الوصول العشوائي للهواتف الذكية، وتقول إنها ستنقل البيانات بسرعة 6400 ميجابت في الثانية، وهي أسرع بنسبة 16% من ذاكرة LPDDR5 في سامسونج جالكسي نوت 20.
وبحسب الشركة فإن هيكل الرام الجديدة سيكون أرّق بنسبة 30% مما يعنل أنها تشغل مساحة أقل في الهواتف الذكية.
وكانت تسريبات سابقة قد كشفت عن بعض التفاصيل للهاتف القادم من سامسونج جالكسي S21 Ultra حيث أنه سيأتي بشاشة مقاس 7 إنش.
كما سيأتي الهاتف بدعم الشحن السريع بقدرة 60 واط، وسيدعم الشحن اللاسلكي بقدرة 25 واط أيضًا، دون الكشف عن سعة البطارية، لكننا نتوقع أن تصل إلى 5000 ميلي أمبير على الأقل نظرًا لحجم الشاشة.
وكشف التسريب أيضًا عن دقة الكاميرا الخلفية الأساسية حيث ستكون 108 ميجابكسل، دون الكشف عن أي تفاصيل أخرى في وحدة الكاميرا سواء الأمامية أو الخلفية.
هل تتوقعون تطورات كبيرة على سلسلة سامسونج جالكسي اس 21 العام القادم؟ شاركونا في التعليقات..
