كشفت شركة سامسونج اليوم عن “نوع خاص من ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية” (DRAM) التي تدعي الشركة أنها مثالية لتطبيقات الذكاء الاصطناعي للهواتف المحمولة وتطبيقات الألعاب. ويطلق عليه اسم LLW DRAM، وهو اختصار لـ Low Latency Wide IO.

وأعلنت سامسونج في البداية أنها تعمل على تطوير LLW DRAM في يناير من هذا العام في Tech Day. وتحدثت الشركة أيضًا باختصار عن LLW في أكتوبر في Memory Tech Day، حيث قدمت حلول HBM3E Shinebolt وLPDDR5X CAMM2.

واليوم، قامت سامسونج بتذكير الجميع بشريحة LLW الخاصة بها من خلال مقطع فيديو. انتقلت شركة سامسونج إلى موقع X (تويتر سابقًا) لنشر إعلان مدته 44 ثانية يعرض LLW DRAM.

وإذا حكمنا من خلال هذا الفيديو، فإن حل LLW عادة ما يكون موجودًا بجوار وحدة المعالجة المركزية مباشرة على SoC، وهو أمر منطقي نظرًا لادعاءاته بـ “زمن الوصول المنخفض”.

ولكن من المثير للاهتمام أن الفيديو يشير إلى أن شرائح LLW ستعمل جنبًا إلى جنب مع وحدة المعالجة المركزية بدلاً من استبدال DRAM التقليدية تمامًا.

هل سيحتوي هاتف سامسونج جالكسي اس 24 على LLW DRAM؟

من غير الواضح بالضبط متى سيتم استخدام LLW DRAM بواسطة شرائح سامسونج، ولكن من المحتمل أن تكون سلسلة هواتف سامسونج جالكسي اس 24 أول هواتف تستخدم هذه التقنية.

وتقوم سامسونج بالفعل بإعداد ميزات الذكاء الاصطناعي الجديدة للهاتف الرائد القادم، بما في ذلك AI Live Translate Call، والتي أكدت الشركة أنها ستتوفر في أوائل العام المقبل.

ومن المفترض أن تعرض سلسلة هواتف سامسونج جالكسي اس 24 باعتبارها “هواتف تعمل بالذكاء الاصطناعي”. مع أخذ كل الأمور بعين الاعتبار، ربما سيتم استخدام جالكسي اس 24 أيضًا كمنصة إطلاق لـ LLW DRAM.

ويشاع أن شركة سامسونج ستكشف النقاب عن الهاتف الرائد التالي في سان خوسيه في 17 يناير. وسنبقيك على اطلاع مع ظهور المزيد من التفاصيل.