كشفت شركة سامسونج في أحدث إحاطة للمستثمرين أن دقة تصنيع 3 نانومتر الخاصة بها ستبدأ الإنتاج في الأسابيع القليلة المقبلة. إذا كان هذا يؤتي ثماره، فإن تقدمه يكون أسرع من شركة TSMC. ومع ذلك، لا تعلق TSMC أبدًا على منافسيها. وفقًا لـ TSMC، ستدخل دقة تصنيع 3 نانومتر مع بنية FinFET الإنتاج الضخم في النصف الثاني من العام.
ويعتقد محللو الصناعة أنه على الرغم من ادعاء Samsung أن دقة تصنيع 3 نانومتر تدخل العد التنازلي للإنتاج الضخم، فمن منظور كثافة الترانزستور والأداء، فإن 3 نانومتر من سامسونج يمكن مقارنتها بـ 5 نانومتر و 4 نانومتر من إنتل.
تعد عملية “3 نانومتر” من سامسونج هي الأحدث من الناحية النظرية ولكن من الناحية العملية ، فهي لا تزال متخلفة عن TSMC. أطلعت شركة سامسونج المستثمرين على استعدادها الكامل لوضع عملية 3 نانومتر القائمة على GAA في الإنتاج في النصف الأول من هذا العام. هذا يعني أنها ستبدأ عملية الإنتاج الضخم في الأسابيع الثمانية القادمة.
وتدعي شركة سامسونج أنه بالنسبة إلى عملية هندسة FinFET الحالية 7 نانومتر ، يمكن أن تعمل رقائق المعالجة الجديدة 3 نانومتر في بيئة منخفضة الجهد أقل من 0.75 فولت. سيؤدي ذلك إلى تقليل استهلاك الطاقة الإجمالي بنسبة 50٪. كما ستعمل على تحسين الأداء بنسبة 30٪ وتقليل حجم الرقاقة بنسبة 45٪.
وعلى الرغم من أن عملية 3 نانومتر من سامسونج ستكون قابلة للمقارنة مع عملية TSMC ذات 4 نانومتر ، إلا أن عرض النطاق الترددي السابق وأداء التحكم في التسرب سيكونان أفضل. سيؤدي هذا على الأرجح إلى أداء أفضل.
ومع ذلك ، فإن المتغير الأكبر الذي لا يمكن معرفته في الوقت الحالي هو مدى جودة عملية إنتاج سامسونج التي تبلغ 3 نانومتر. تتميز عملية 4 نانومتر من سامسونج بمعدل إنتاج منخفض جدًا وهذا يتسبب في تحول كبار العملاء إلى TSMC. وفقًا لتقارير الصناعة ، يبلغ معدل إنتاج سامسونج البالغ 3 نانومتر حوالي 10 ٪ فقط ، ولكن لم يتم تأكيد ذلك من قبل شركة سامسونج.
تعتقد الصناعة أن كبار المصنعين مثل Apple و AMD و NVIDIA و Qualcomm و Intel و MediaTek سيكونون العملاء الرئيسيين لـ TSMC في المرحلة المبكرة من الإنتاج الضخم 3 نانومتر، مع تطبيقات تغطي الحوسبة عالية السرعة والهواتف الذكية وغيرها من المجالات. تدعي TSMC أنه بعد الإنتاج الضخم لـ 3 نانومتر في النصف الثاني من هذا العام ، ستقود تقنية PPA (الأداء واستهلاك الطاقة والمساحة) وتقنية الترانزستور.
وسيكون لها أيضًا معدل عائد جيد. أنها واثقة من أن دقة تصنيع 3 نانومتر ستستمر في كسب ثقة العملاء. بالإضافة إلى ذلك ، شرعت TSMC أيضًا في تصميم 2 نانومتر أكثر تقدمًا. من المتوقع أن يبدأ الإنتاج التجريبي في عام 2024 ويستهدف الإنتاج الضخم في عام 2025. ومن المتفائل أن 2 نانومتر ستكون التكنولوجيا الرائدة في الصناعة والتكنولوجيا الأكثر ملاءمة لدعم نمو العملاء.
اقرأ أيضًا: شاومي توقف الدعم عن هذه الهواتف .. تعرف عليها
برأيك، هل Samsung الأفضل أم TSMC؟
