أعلنت شركة سامسونج Samsung عن إصدارها الجديد من ذاكرة الوصول العشوائي رام، وقالت الشركة إنّها وسّعت مجموعة الذاكرة الخاصة بها مع أول وحدة DDR5 بسعة تبلغ 512 جيجابايت، حيث تعتمد الذاكرة على تقنية المعالجة HKMG، حيث تعمل على تقديم أداء أكثر من ضعف أداء DDR4 بمعدل يصل إلى 7200 ميجابت في الثانية.

الذاكرة الجديدة من سامسونج

سوف تكون الذاكرة الجديدة DDR5 قادرة على تنظيم أعباء العمل الأكثر احتياجًا للحوسبة والنطاق الترددي العالي في الحوسبة الفائقة والذكاء الاصطناعي (AI) والتعلم الذاتي (ML)، بالإضافة إلى تطبيقات تحليل البيانات.

اقرأ أيضًا.. هاتف سامسونج بشاشتين قابلتين للطي قادم هذا العام بتصميم مميز ومواصفات رائعة

وتعقيبًا على الموضوع قال يونج سو سون، من خلال جلب هذا النوع من  ابتكار العمليات إلى تصنيع DRAM، يمكننا أن نقدم لعملائنا حلول ذاكرة عالية الأداء، بالإضافة إلى توفيرها للطاقة لتشغيل أجهزة الكمبيوتر اللازمة للأبحاث الطبية والأسواق المالية والقيادة الذاتية والمدن الذكية وغيرها من الأجهزة.

وفي نفس السياق، قالت كارولين دوران ، نائب الرئيس والمدير العام لتقنية الذاكرة في شركة انتل إنّ فرق Intel الهندسية تشارك بشكل وثيق مع رواد الذاكرة مثل Samsung لتقديم ذاكرة DDR5 سريعة وفعّالة في استهلاك الطاقة ومُحسّنة للأداء ومتوافقة مع معالجات Intel Xeon Scalable القادمة، والتي تحمل الاسم الرمزي Sapphire Rapids.

تجدر الإشارة إلى أنّ DDR5 سوف تستخدم تقنية HKMG المتقدمة للغاية التي تم استخدامها تقليديًا في أشباه الموصلات، حيث تقوم HKMG باستبدال طبقة العازل في هياكل DRAM، وتعمل على تقليل المادة العازلة العالية الموجودة في الطبقة ما يُقلل تسرب التيار وبالتالي تعمل على زيادة الأداء، في الوقت نفسه، تمكنت Samsung من تقليل استخدام الطاقة في الوحدة الجديدة بنسبة 13٪.

تجدر الإشارة إلى أنّ كل وحدة DDR5 بسعة تبلغ 512 جيجابايت مصنوعة من ثماني طبقات من شرائح DRAM بسعة 16 جيجابت، حيث تتصل هذه الطبقات ببعضها باستخدام تقنية (TSV) .

ما رأيكم في الذاكرة الجديدة من سامسونج؟ شاركونا رأيكم في التعليقات.